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九州大学 グローバルイノベーションセンター 第21回GICセミナー --> HOME セミナー情報 セミナー情報 詳細 セミナー情報 第21回 GICセミナー 「SiCパワーデバイス：Siパワーを原点とした技術進展の歴史と製品化動向」 日　時 令和2年 2月7日（金）14：00～16：00 場　所 グローバルイノベーションセンター ３F 研修室　（九州大学筑紫キャンパス） 講　師 九州大学グローバルイノベーションセンター客員教授、 エア･ウォーター株式会社 SIC事業部 技術開発グループリーダー　川村 啓介 氏 講　演概　要 持続可能かつ 豊かな低炭素社会の実現に向け、高効率な電力変換システムへの期待が高まる中、電力 を自在に変換・制御する電子部品である『パワーデバイス』の技術革新が進んでいる。 これまでパワーデバイスの材料には、主にシリコン(Si)が使用されてきたが、近年、炭化ケイ素(SiC)や 窒化ガリウム(GaN)などの、いわゆるワイドギャップ半導体を用いたパワーデバイスで Siを凌駕する 性能（低損失化、高耐圧化、高速性など）が実証され、既にソーラー発電用パワコン、鉄道、産業用 モーター、各種電気機器用の電源や小型・急速充電器などのアプリケーションで、その実用化が始まっ ている。 本講演では、ワイドギャップ半導体パワーの特徴をSiパワーと比較しながら解説するとともに、特に SiCパワーに焦点をあて、その技術開発の歴史や実用化の最新動向などを紹介する。 世話人 九州大学グローバルイノベーションセンター アドバンストプロジェクト部門 教授　中島 寛 定　員 ６０名（先着順） セミナー一覧 九州大学 グローバルイノベーションセンター　〒816-8580　福岡県春日市春日公園6-1　Tel：092-583-7883/7884　Fax：092-573-8729 Copyright c GIC All rights reserved.